Silicon carbide (SiC) سنگل ڪرسٽل مواد ۾ وڏي بينڊ گيپ ويڪر (~Si 3 ڀيرا)، تيز حرارتي چالکائي (~Si 3.3 ڀيرا يا GaAs 10 ڀيرا)، هاءِ اليڪٽران سنتريشن لڏپلاڻ جي شرح (~Si 2.5 دفعا)، اعليٰ بريڪ ڊائون برقي فيلڊ (~ Si 10 ڀيرا يا GaAs 5 ڀيرا) ۽ ٻيون شاندار خاصيتون.
سي سي ڊوائيسز کي اعلي درجه حرارت، اعلي دٻاء، اعلي تعدد، اعلي طاقت برقي ڊوائيسز ۽ انتهائي ماحولياتي ايپليڪيشنن جهڙوڪ ايرو اسپيس، فوجي، ايٽمي توانائي وغيره جي ميدان ۾ ناقابل بدلي فائدا آهن، عملي ۾ روايتي سيمي ڪنڊڪٽر مادي ڊوائيسز جي خرابين کي پورو ڪن ٿا. ايپليڪيشنون، ۽ تدريجي طور تي پاور سيمڪنڊڪٽرز جو مکيه وهڪرو بڻجي رهيا آهن.
4H-SiC Silicon carbide substrate specifications
| شيءِ | وضاحتون 参数 | |
| پوليٽائپ | 4H -SiC | 6 ايڇ- سي سي |
| قطر | 2 انچ |3 انچ |4 انچ |6 انچ | 2 انچ |3 انچ |4 انچ |6 انچ |
| ٿلهو | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| چالاڪت | N - قسم / نيم موصل | N - قسم / نيم موصل |
| ڊاپنٽ | N2 (نائيٽروجن) V (Vanadium) | N2 (نائيٽروجن) V (Vanadium) |
| اورينٽيشن | محور تي <0001> | محور تي <0001> |
| مزاحمتي قوت | 0.015 ~ 0.03 ohm-cm | 0.02 ~ 0.1 ohm-cm |
| مائڪروپائپ کثافت (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| ٽي وي | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| ڪُنڊو/ وارپ | ≤25 μm | ≤25 μm |
| مٿاڇري | ڊي ايس پي/ ايس ايس پي | ڊي ايس پي/ ايس ايس پي |
| گريڊ | پيداوار / ريسرچ گريڊ | پيداوار / ريسرچ گريڊ |
| کرسٽل اسٽيڪنگ تسلسل | ABCB | ABCABC |
| لٽڪيل پيٽرول | a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| مثال/eV (بينڊ-گيپ) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε (Dielectric Constant) | 9.6 | 9.66 |
| Refraction Index | n0 = 2.719 ne = 2.777 | n0 = 2.707، ne = 2.755 |
6H-SiC Silicon Carbide substrate specifications
| شيءِ | وضاحتون 参数 |
| پوليٽائپ | 6 ايڇ-سي سي |
| قطر | 4 انچ |6 انچ |
| ٿلهو | 350μm ~ 450μm |
| چالاڪت | N - قسم / نيم موصل |
| ڊاپنٽ | N2 (نائيٽروجن) |
| اورينٽيشن | <0001> بند 4°± 0.5° |
| مزاحمتي قوت | 0.02 ~ 0.1 ohm-cm |
| مائڪروپائپ کثافت (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| ٽي وي | ≤ 15 μm |
| ڪُنڊو/ وارپ | ≤25 μm |
| مٿاڇري | سي منهن: سي ايم پي، ايپي تيار |
| گريڊ | ريسرچ گريڊ |
