GaAs ذيلي ذخيري ۾ ورهايل آهن conductive ۽ نيم-انسوليٽنگ، جيڪي وڏي پيماني تي ليزر (LD)، سيمي ڪنڊڪٽر لائيٽ ايميٽنگ ڊيوڊ (LED)، ويجھي-انفرارڊ ليزر، ڪوانٽم ويل هاءِ پاور ليزر ۽ اعليٰ ڪارڪردگي وارا سولر پينلز ۾ ورهايل آهن.HEMT ۽ HBT چپس لاءِ راڊار، مائيڪرو ويو، مليميٽر موج يا الٽرا هاءِ اسپيڊ ڪمپيوٽرن ۽ آپٽيڪل ڪميونيڪيشن؛ريڊيو فريڪوئنسي ڊوائيسز لاءِ وائرليس ڪميونيڪيشن، 4G، 5G، سيٽلائيٽ ڪميونيڪيشن، WLAN.
حالانڪه، گيليم آرسنائيڊ سبسٽريٽ پڻ وڏي ترقي ڪئي آهي ميني-ايل اي ڊي، مائڪرو ايل اي ڊي، ۽ ريڊ ايل اي ڊي، ۽ وڏي پيماني تي استعمال ٿيل آهن AR/VR wearable ڊوائيسز ۾.
| قطر | 50mm |75mm |100mm |150mm |
| واڌ جو طريقو | ايل اي سي液封直拉法 |
| ويفر ٿلهي | 350 um ~ 625 um |
| اورينٽيشن | <100> / <111> / <110> يا ٻيا |
| هلندڙ قسم | P - قسم / N - قسم / نيم موصليت |
| قسم / ڊوپنٽ | Zn / Si / undoped |
| ڪيريئر ڪنسنٽريشن | 1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| RT تي مزاحمت | ≥1E7 SI لاءِ |
| متحرڪ | ≥4000 |
| EPD (Etch Pit Density) | 100~1E5 |
| ٽي وي | ≤ 10 um |
| ڪُنڊو/ وارپ | ≤ 20 um |
| مٿاڇري ختم | ڊي ايس پي/ ايس ايس پي |
| ليزر نشان |
|
| گريڊ | Epi پالش گريڊ / مشيني گريڊ |
