اسان جي ڪمپني فراهم ڪري ٿيسي سي ڪوٽنگCVD طريقي سان گريفائٽ، سيرامڪس ۽ ٻين مواد جي مٿاڇري تي پروسيسنگ سروسز، ته جيئن ڪاربان ۽ سلڪون تي مشتمل خاص گيسز تيز گرمي پد تي رد عمل ظاهر ڪري اعليٰ صفائي سِڪ ماليڪيول حاصل ڪري سگهن، جن کي ٺهيل مواد جي مٿاڇري تي جمع ڪري سگهجي ٿو.سي سي حفاظتي پرتepitaxy بيرل قسم hy pnotic لاء.
مکيه خاصيتون:
1 .High purity SiC coated graphite
2. اعليٰ گرمي جي مزاحمت ۽ حرارتي يونيفارم
3. ٺيڪسي سي ڪرسٽل ڪوٽنگهڪ نرم مٿاڇري لاء
4. ڪيميائي صفائي جي خلاف اعلي استحڪام
جي مکيه وضاحتونCVD-SIC ڪوٽنگ
| SiC-CVD ملڪيت | ||
| کرسٽل جي جوڙجڪ | FCC β مرحلو | |
| کثافت | g/cm ³ | 3.21 |
| سختي | ويڪرز جي سختي | 2500 |
| اناج جي ماپ | μm | 2 ~ 10 |
| ڪيميائي صفائي | % | 99.99995 |
| گرمي جي گنجائش | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| آبهوا جي درجه حرارت | ℃ | 2700 |
| Felexural طاقت | MPa (RT 4-پوائنٽ) | 415 |
| نوجوان جي ماڊلس | Gpa (4pt موڙ، 1300℃) | 430 |
| حرارتي توسيع (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| حرارتي چالکائي | (W/mK) | 300 |
