جي بنيادي حصن مان هڪ جي طور تيMOCVD سامانgraphite جو بنياد سبسٽريٽ جو ڪيريئر ۽ حرارتي جسم آهي، جيڪو سڌو سنئون فلم جي مواد جي هڪجهڙائي ۽ پاڪائي کي طئي ڪري ٿو، تنهنڪري ان جي معيار کي سڌو سنئون epitaxial شيٽ جي تياري تي اثر انداز ٿئي ٿو، ۽ ساڳئي وقت، تعداد جي واڌ سان. استعمال ۽ ڪم ڪندڙ حالتن جي تبديلي، ان کي پائڻ بلڪل آسان آهي، استعمال ٿيندڙ سامان سان تعلق رکي ٿو.
جيتوڻيڪ graphite شاندار حرارتي چالکائي ۽ استحڪام آهي، اهو هڪ بنيادي جزو جي طور تي سٺو فائدو آهيMOCVD سامان، پر پيداوار جي عمل ۾، graphite corrosive گيس ۽ metallic organics جي رهاڻ جي ڪري پائوڊر corrode ڪندو، ۽ graphite بنيادي جي خدمت زندگي تمام گھٽجي ويندي.ساڳئي وقت، گرڻ گريفائٽ پائوڊر چپ کي آلودگي جو سبب بڻائيندو.
ڪوٽنگ ٽيڪنالاجي جي ظاهر ٿيڻ سان سطح جي پائوڊر کي درست ڪرڻ، حرارتي چالکائي کي وڌائڻ، ۽ گرمي جي ورڇ کي برابر ڪرڻ، جيڪا هن مسئلي کي حل ڪرڻ لاء مکيه ٽيڪنالاجي بڻجي وئي آهي.۾ Graphite جو بنيادMOCVD سامانماحول کي استعمال ڪريو، graphite بنيادي سطح ڪوٽنگ هيٺين خاصيتن کي ملڻ گهرجي:
(1) graphite جو بنياد مڪمل طور تي لپي سگهجي ٿو، ۽ کثافت سٺي آهي، ٻي صورت ۾ graphite جو بنياد corrosive گئس ۾ corroded ٿيڻ آسان آهي.
(2) گريفائٽ بيس سان گڏ ميلاپ جي طاقت وڌيڪ آهي انهي کي يقيني بڻائڻ لاءِ ته ڪوٽنگ آسان نه آهي گرڻ کان پوءِ ڪيترن ئي تيز گرمي پد ۽ گهٽ درجه حرارت واري چڪر کان پوءِ.
(3) اهو سٺو ڪيميائي استحڪام آهي ته اعلي گرمي پد ۽ corrosive ماحول ۾ ڪوٽنگ ناڪامي کان بچڻ لاء.
سي سي ۾ corrosion مزاحمت، اعلي حرارتي چالکائي، حرارتي جھٽڪو مزاحمت ۽ اعلي ڪيميائي استحڪام جا فائدا آهن، ۽ GaN epitaxial ماحول ۾ سٺو ڪم ڪري سگهن ٿا.ان کان علاوه، سي سي جي حرارتي توسيع جي گنجائش گريفائٽ جي ڀيٽ ۾ تمام ٿورو مختلف آهي، تنهنڪري سي سي گريفائٽ بيس جي سطح جي ڪوٽنگ لاء ترجيحي مواد آهي.
في الحال، عام سي سي خاص طور تي 3C، 4H ۽ 6H قسم آهي، ۽ مختلف ڪرسٽل قسمن جي SiC استعمال مختلف آهن.مثال طور، 4H-SiC اعلي طاقت ڊوائيسز ٺاهي سگھي ٿو؛6H-SiC سڀ کان وڌيڪ مستحڪم آهي ۽ فوٽو اليڪٽرڪ ڊوائيسز ٺاهي سگھي ٿو.ان جي ساڳي جوڙجڪ جي ڪري GaN سان، 3C-SiC استعمال ڪري سگھجي ٿو GaN epitaxial پرت پيدا ڪرڻ ۽ SiC-GaN RF ڊوائيسز تيار ڪرڻ لاءِ.3C-SiC پڻ عام طور تي سڃاتو وڃي ٿوβ-SiC، ۽ هڪ اهم استعمالβ-SiC هڪ فلم ۽ ڪوٽنگ مواد جي طور تي آهي، تنهنڪريβ-SiC هن وقت ڪوٽنگ لاء مکيه مواد آهي.
پوسٽ ٽائيم: نومبر-06-2023