في الحال، جي تياري جا طريقاسي سي ڪوٽنگخاص طور تي جيل-سول جو طريقو، ايمبيڊنگ جو طريقو، برش ڪوٽنگ جو طريقو، پلازما اسپري ڪرڻ جو طريقو، ڪيميائي گئس جي رد عمل جو طريقو (CVR) ۽ ڪيميائي بخار جمع ڪرڻ جو طريقو (CVD).
شامل ڪرڻ جو طريقو:
اهو طريقو هڪ قسم جي تيز گرمي پد واري مرحلي ۾ سنٽرنگ آهي، جنهن ۾ بنيادي طور تي سي پاؤڊر ۽ سي پاؤڊر جو مرکب استعمال ڪيو ويندو آهي ايمبيڊنگ پاؤڊر جي طور تي، گريفائٽ ميٽرڪس کي ايمبيڊنگ پاؤڊر ۾ رکيو ويندو آهي، ۽ تيز گرمي پد sintering inert گئس ۾ ڪيو ويندو آهي. ، ۽ آخر ۾سي سي ڪوٽنگgraphite matrix جي مٿاڇري تي حاصل ڪئي وئي آهي.اهو عمل سادو آهي ۽ ڪوٽنگ ۽ ذيلي ذخيري جي وچ ۾ ميلاپ سٺو آهي، پر ٿلهي طرف سان گڏ ڪوٽنگ جي هڪجهڙائي خراب آهي، جيڪا وڌيڪ سوراخ پيدا ڪرڻ آسان آهي ۽ خراب آڪسائيڊ مزاحمت جي ڪري ٿي.
برش ڪوٽنگ جو طريقو:
برش ڪوٽنگ جو طريقو بنيادي طور تي گريفائٽ ميٽرڪس جي مٿاڇري تي مائع خام مال کي برش ڪرڻ آهي، ۽ پوء ڪوٽنگ تيار ڪرڻ لاء هڪ خاص درجه حرارت تي خام مال کي علاج ڪرڻ.اهو عمل سادو آهي ۽ قيمت گهٽ آهي، پر برش ڪوٽنگ جي طريقي سان تيار ڪيل ڪوٽنگ ذيلي ذخيري سان ميلاپ ۾ ڪمزور آهي، ڪوٽنگ جي هڪجهڙائي خراب آهي، ڪوٽنگ پتلي آهي ۽ آڪسائيڊ مزاحمت گهٽ آهي، ۽ ٻين طريقن جي مدد ڪرڻ جي ضرورت آهي. اهو.
پلازما اسپري ڪرڻ جو طريقو:
پلازما اسپري ڪرڻ جو طريقو خاص طور تي گريفائٽ ميٽرڪس جي مٿاڇري تي پگھليل يا نيم پگھليل خام مال کي پلازما گن سان اسپري ڪرڻ آهي، ۽ پوءِ مضبوط ڪرڻ ۽ هڪ ڪوٽنگ ٺاهڻ لاءِ بانڊ ڪرڻ آهي.اهو طريقو هلائڻ لاءِ سادو آهي ۽ نسبتاً گھڻا سلکان ڪاربائيڊ ڪوٽنگ تيار ڪري سگهي ٿو، پر طريقي سان تيار ڪيل سلڪون ڪاربائيڊ ڪوٽنگ اڪثر ڪري ڪمزور هوندي آهي ۽ ڪمزور آڪسائيڊ مزاحمت جو سبب بڻجندي آهي، تنهنڪري اهو عام طور تي سي سي جامع ڪوٽنگ جي تياري لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي. ڪوٽنگ جي معيار.
جيل-سول جو طريقو:
جيل-سول جو طريقو بنيادي طور تي هڪ يونيفارم ۽ شفاف سولو تيار ڪرڻ آهي جيڪو ميٽرڪس جي مٿاڇري کي ڍڪيندو آهي، هڪ جيل ۾ خشڪ ڪرڻ ۽ پوء ڪوٽنگ حاصل ڪرڻ لاء sintering.اهو طريقو هلائڻ لاءِ سادو آهي ۽ قيمت ۾ گهٽ آهي، پر پيدا ٿيندڙ ڪوٽنگ ۾ ڪجهه خاميون هونديون آهن جيئن ته گهٽ حرارتي جھٽڪو مزاحمت ۽ آسان ڪريڪنگ، ان ڪري ان کي وڏي پيماني تي استعمال نٿو ڪري سگهجي.
ڪيميائي گئس جو رد عمل (CVR):
CVR بنيادي طور تي ٺاهي ٿوسي سي ڪوٽنگSi ۽ SiO2 پائوڊر استعمال ڪندي تيز گرمي پد تي SiO ٻاڦ پيدا ڪرڻ لاءِ، ۽ ڪيميائي رد عمل جو هڪ سلسلو C مادي جي مٿاڇري تي ٿئي ٿو.جيسي سي ڪوٽنگهن طريقي سان تيار ڪيل ذيلي ذخيري سان ويجهي ڳنڍيل آهي، پر ردعمل جي درجه حرارت وڌيڪ آهي ۽ قيمت وڌيڪ آهي.
ڪيميائي بخار جمع (CVD):
هن وقت، CVD تيار ڪرڻ لاء مکيه ٽيڪنالاجي آهيسي سي ڪوٽنگsubstrate جي مٿاڇري تي.مکيه عمل سبسٽراٽي جي مٿاڇري تي گيس فيز ريڪٽينٽ مواد جي جسماني ۽ ڪيميائي رد عمل جو هڪ سلسلو آهي، ۽ آخر ۾ سي سي ڪوٽنگ تيار ڪئي وئي آهي، جيڪا ذيلي ذخيري جي مٿاڇري تي جمع ڪري ٿي.سي وي ڊي ٽيڪنالاجي پاران تيار ڪيل سي سي ڪوٽنگ سبسٽريٽ جي مٿاڇري سان ويجهڙائي سان جڙيل آهي، جيڪا مؤثر طريقي سان آڪسائيڊ مزاحمت ۽ ذيلي مواد جي گھٽتائي واري مزاحمت کي بهتر بڻائي سگهي ٿي، پر هن طريقي جي جمع ٿيڻ جو وقت ڊگهو آهي، ۽ ردعمل گيس هڪ خاص زهر آهي. گيس
پوسٽ ٽائيم: نومبر-06-2023