سيمي ڪنڊڪٽر سلکان ڪاربائيڊ ايپيٽڪسيل ڊسڪ جي ڳولا: ڪارڪردگي جا فائدا ۽ ايپليڪيشن جا امڪان

اليڪٽرانڪ ٽيڪنالاجي جي اڄ جي فيلڊ ۾، سيمڪڊڪٽر مواد هڪ اهم ڪردار ادا ڪن ٿا.انهن مان، سلکان ڪاربائڊ (SiC) هڪ وسيع بينڊ گيپ سيميڪنڊڪٽر مواد جي طور تي، ان جي شاندار ڪارڪردگي فائدن سان، جهڙوڪ هاء بريڪ ڊائون برقي فيلڊ، تيز سنترپشن جي رفتار، تيز حرارتي چالکائي، وغيره، تدريجي طور تي محقق ۽ انجنيئرن جو ڌيان بڻجي رهيو آهي.Silicon carbide epitaxial ڊسڪ، ان جي هڪ اهم حصي طور، وڏي درخواست جي صلاحيت ڏيکاريو آهي.

一، epitaxial ڊسڪ ڪارڪردگي: مڪمل فائدا
1. الٽرا-هاء بريڪ ڊائون برقي ميدان: روايتي سلڪون مواد جي مقابلي ۾، سلڪون ڪاربائيڊ جي بريڪ ڊائون برقي فيلڊ 10 ڀيرا کان وڌيڪ آهي.هن جو مطلب اهو آهي ته ساڳئي وولٹیج جي حالتن ۾، سلکان ڪاربائڊ ايپيٽيڪسيل ڊسڪ استعمال ڪندي اليڪٽرانڪ ڊوائيسز اعلي واء کي برداشت ڪري سگھن ٿيون، انهي سان گڏ اعلي وولٹیج، اعلي تعدد، اعلي طاقت واري برقي ڊوائيس ٺاهي ٿي.
2. تيز رفتار saturation رفتار: silicon carbide جي saturation اسپيڊ سلکان جي ڀيٽ ۾ 2 ڀيرا وڌيڪ آهي.تيز گرمي پد ۽ تيز رفتار تي آپريٽنگ، سلکان ڪاربائڊ ايپيٽيڪسيل ڊسڪ بهتر ڪم ڪري ٿو، جيڪو خاص طور تي برقي ڊوائيسز جي استحڪام ۽ اعتبار کي بهتر بڻائي ٿو.
3. اعلي ڪارڪردگي حرارتي چالکائي: سلکان ڪاربائيڊ جي حرارتي چالکائي سلکان جي ڀيٽ ۾ 3 ڀيرا وڌيڪ آهي.هي خصوصيت اليڪٽرانڪ ڊوائيسز کي اجازت ڏئي ٿي ته مسلسل تيز طاقت جي آپريشن دوران گرمي کي بهتر طور تي ختم ڪري، ان ڪري وڌيڪ گرمي کي روڪڻ ۽ ڊوائيس جي حفاظت کي بهتر بڻائي.
4. بهترين ڪيميائي استحڪام: انتهائي ماحول ۾ جيئن ته تيز گرمي پد، تيز دٻاء ۽ مضبوط تابڪاري، سلکان ڪاربائيڊ جي ڪارڪردگي اڃا به اڳ وانگر مستحڪم آهي.هي خصوصيت سلکان ڪاربائيڊ ايپيٽيڪسيل ڊسڪ کي قابل بنائي ٿي پيچيده ماحول جي منهن ۾ شاندار ڪارڪردگي برقرار رکڻ لاءِ.
二، پيداوار جي عمل: احتياط سان ٺهيل
SIC epitaxial ڊسڪ جي پيداوار لاء مکيه عمل شامل آهن جسماني وانپ جمع (PVD)، ڪيميائي وانپ جمع (CVD) ۽ epitaxial واڌ.انهن عملن مان هر هڪ کي پنهنجون خاصيتون آهن ۽ بهترين نتيجا حاصل ڪرڻ لاءِ مختلف معيارن جي درست ڪنٽرول جي ضرورت آهي.
1. PVD عمل: evaporation يا sputtering ۽ ٻين طريقن سان، SiC ٽارگيٽ کي فلم ٺاهڻ لاء سبسٽريٽ تي جمع ڪيو ويندو آهي.هن طريقي سان تيار ڪيل فلم ۾ اعلي پاڪائي ۽ سٺي crystallinity آهي، پر پيداوار جي رفتار نسبتا سست آهي.
2. CVD پروسيس: سلڪون ڪاربائيڊ ماخذ گيس کي تيز گرمي پد تي ٽوڙڻ سان، ان کي ذيلي ذخيري تي جمع ڪيو ويندو آهي هڪ پتلي فلم ٺاهيندي.هن طريقي سان تيار ڪيل فلم جي ٿلهي ۽ هڪجهڙائي ڪنٽرول ٿي سگهي ٿي، پر پاڪائي ۽ ڪرسٽالنيٽي خراب آهي.
3. Epitaxial واڌ: SiC epitaxial پرت جي ترقي مونوڪريسٽلائن سلڪون يا ٻين مونوڪريسٽلائن مواد تي ڪيميائي وانپ جمع ڪرڻ واري طريقي سان.هن طريقي سان تيار ڪيل epitaxial پرت کي ذيلي مواد سان سٺي نموني ۽ شاندار ڪارڪردگي آهي، پر قيمت نسبتا وڌيڪ آهي.
三، درخواست جو امڪان: مستقبل کي روشن ڪريو
پاور اليڪٽرانڪس ٽيڪنالاجي جي مسلسل ترقي ۽ اعلي ڪارڪردگي ۽ اعلي قابل اعتماد برقي ڊوائيسز جي وڌندڙ مطالبن سان، سلکان ڪاربائڊ ايپيٽيڪسيل ڊسڪ کي سيمڪ ڪنڊڪٽر ڊوائيس جي پيداوار ۾ وسيع ايپليڪيشن جو امڪان آهي.اهو وڏي پيماني تي استعمال ڪيو ويندو آهي اعلي-فريڪوئنسي اعلي-پاور semiconductor ڊوائيسز جي تعمير ۾، جيئن ته بجلي اليڪٽرانڪ سوئچ، inverters، rectifiers، وغيره. ان کان علاوه، ان کي به وڏي پيماني تي شمسي سيل، LED ۽ ٻين شعبن ۾ استعمال ڪيو ويندو آهي.
ان جي منفرد ڪارڪردگي جي فائدن ۽ پيداوار جي عمل جي مسلسل سڌاري سان، سلکان ڪاربائڊ ايپيٽيڪسيل ڊسڪ سيمي ڪنڊڪٽر فيلڊ ۾ پنهنجي وڏي صلاحيت ڏيکاريندي آهي.اسان کي يقين ڪرڻ جو سبب آهي ته سائنس ۽ ٽيڪنالاجي جي مستقبل ۾، اهو وڌيڪ اهم ڪردار ادا ڪندو.