سيميسيرا مختلف اجزاء ۽ ڪيريئرز لاءِ خاص ٽينٽالم ڪاربائيڊ (TaC) ڪوٽنگ فراهم ڪري ٿي.سيميسيرا جي اڳواڻي ڪوٽنگ وارو عمل ٽينٽيلم ڪاربائيڊ (TaC) ڪوٽنگن کي قابل بڻائي ٿو اعليٰ پاڪيزگي، اعليٰ درجه حرارت جي استحڪام ۽ اعليٰ ڪيميائي رواداري حاصل ڪرڻ لاءِ، SIC/GAN ڪرسٽل ۽ EPI پرت جي پيداوار جي معيار کي بهتر بڻائي ٿو.Graphite coated TaC susceptor)، ۽ اهم ريڪٽر اجزاء جي زندگي کي وڌائڻ. tantalum carbide TaC ڪوٽنگ جو استعمال ڪنارن جي مسئلي کي حل ڪرڻ ۽ ڪرسٽل جي ترقي جي معيار کي بهتر بڻائڻ آهي، ۽ سيميسيرا ڪاميابي سان حل ڪيو آهي tantalum carbide ڪوٽنگ ٽيڪنالاجي (CVD)، بين الاقوامي ترقي يافته سطح تائين پهچندي.
Silicon carbide (SiC) سيمي ڪنڊڪٽرز جي ٽئين نسل ۾ هڪ اهم مواد آهي، پر ان جي پيداوار جي شرح صنعت جي ترقي لاء هڪ محدود عنصر آهي. سيميسيرا جي ليبارٽريز ۾ وسيع جانچ ڪرڻ کان پوءِ، اهو معلوم ٿيو آهي ته اسپري ٿيل ۽ سينٽر ٿيل TaC ۾ ضروري صفائي ۽ هڪجهڙائي نه آهي. ان جي ابتڙ، CVD عمل 5 PPM جي پاڪائي سطح ۽ شاندار يونيفارم کي يقيني بڻائي ٿو. CVD TaC جو استعمال خاص طور تي سلکان ڪاربائيڊ ويفرز جي پيداوار جي شرح کي بهتر بڻائي ٿو. اسان بحث کي ڀليڪار ڪيون ٿاTantalum Carbide CVD ڪوٽنگ گائيڊ رنگ سي سي ويفرز جي قيمتن کي وڌيڪ گھٽائڻ لاء.
سالن جي ترقي کان پوء، Semicera جي ٽيڪنالاجي کي فتح ڪيو آهيسي وي ڊي ٽي سيآر اينڊ ڊي ڊپارٽمينٽ جي گڏيل ڪوششن سان. SiC wafers جي واڌ جي عمل ۾ خرابيون آسان آهن، پر استعمال ڪرڻ کان پوءٽي سي، فرق اهم آهي. هيٺ ڏنل wafers جو هڪ مقابلو آهي TaC سان ۽ ان کان سواءِ، انهي سان گڏ سميسيرا جا حصا سنگل ڪرسٽل جي واڌ لاءِ.
TaC سان ۽ بغير
TaC استعمال ڪرڻ کان پوء (ساڄي)
ان کان سواء، Semicera جيTaC-coated مصنوعاتجي ڀيٽ ۾ هڪ ڊگهي خدمت زندگي ۽ وڌيڪ اعلي-پد حرارت جي مزاحمت جي نمائشسي سي ڪوٽنگ.ليبارٽري جي ماپ ڏيکاريا آهن ته اسان جيTaC ڪوٽنگوڌايل عرصي تائين 2300 درجا سينٽي گريڊ تائين گرمي پد تي مسلسل ڪم ڪري سگھي ٿو. هيٺ اسان جي نموني جا ڪجهه مثال آهن:
