TaC coated epitaxial wafer ڪيريئرعام طور تي اعلي ڪارڪردگي optoelectronic ڊوائيسز، بجلي ڊوائيسز، sensors ۽ ٻين شعبن جي تياري ۾ استعمال ٿيندا آهن. هيepitaxial wafer ڪيريئرجي جمع ڪرڻ جو حوالو ڏئي ٿوٽي سيٿلهي فلم ڪرسٽل جي واڌ جي عمل دوران ذيلي ذخيري تي مخصوص ساخت ۽ ڪارڪردگي سان گڏ ويفر ٺاهڻ لاءِ ايندڙ ڊوائيس جي تياري لاءِ.
ڪيميائي وانپ جمع (CVD) ٽيڪنالاجي عام طور تي تيار ڪرڻ لاء استعمال ڪيو ويندو آهيTaC coated epitaxial wafer ڪيريئر. تيز گرمي پد تي ڌاتو جي نامياتي اڳڪٿين ۽ ڪاربان ماخذ گيس کي رد ڪرڻ سان، هڪ ٽي سي فلم کي ڪرسٽل سبسٽريٽ جي مٿاڇري تي جمع ڪري سگهجي ٿو. ھن فلم ۾ بھترين برقي، بصري ۽ ميخانياتي ملڪيت ٿي سگھي ٿي ۽ مختلف اعليٰ ڪارڪردگي ڊوائيسز جي تياري لاءِ موزون آھي.
سيميسيرا مختلف اجزاء ۽ ڪيريئرز لاءِ خاص ٽينٽالم ڪاربائيڊ (TaC) ڪوٽنگ فراهم ڪري ٿي.سيميسيرا جي اڳواڻي ڪوٽنگ وارو عمل ٽينٽيلم ڪاربائيڊ (TaC) ڪوٽنگن کي قابل بڻائي ٿو اعليٰ پاڪيزگي، اعليٰ درجه حرارت جي استحڪام ۽ اعليٰ ڪيميائي رواداري حاصل ڪرڻ لاءِ، SIC/GAN ڪرسٽل ۽ EPI پرت جي پيداوار جي معيار کي بهتر بڻائي ٿو.Graphite coated TaC susceptor)، ۽ اهم ريڪٽر اجزاء جي زندگي کي وڌائڻ. tantalum carbide TaC ڪوٽنگ جو استعمال ڪنارن جي مسئلي کي حل ڪرڻ ۽ ڪرسٽل جي ترقي جي معيار کي بهتر بڻائڻ آهي، ۽ سيميسيرا ڪاميابي سان حل ڪيو آهي tantalum carbide ڪوٽنگ ٽيڪنالاجي (CVD)، بين الاقوامي ترقي يافته سطح تائين پهچندي.
سالن جي ترقي کان پوء، Semicera جي ٽيڪنالاجي کي فتح ڪيو آهيسي وي ڊي ٽي سيآر اينڊ ڊي ڊپارٽمينٽ جي گڏيل ڪوششن سان. SiC wafers جي واڌ جي عمل ۾ خرابيون آسان آهن، پر استعمال ڪرڻ کان پوءٽي سي، فرق اهم آهي. هيٺ ڏنل wafers جو هڪ مقابلو آهي TaC سان ۽ ان کان سواءِ، انهي سان گڏ سميسيرا جا حصا سنگل ڪرسٽل جي واڌ لاءِ.
TaC سان ۽ بغير
TaC استعمال ڪرڻ کان پوء (ساڄي)
ان کان سواء، Semicera جيTaC-coated مصنوعاتجي ڀيٽ ۾ هڪ ڊگهي خدمت زندگي ۽ وڌيڪ اعلي-پد حرارت جي مزاحمت جي نمائشسي سي ڪوٽنگ.ليبارٽري جي ماپ ڏيکاريا آهن ته اسان جيTaC ڪوٽنگوڌايل عرصي تائين 2300 درجا سينٽي گريڊ تائين گرمي پد تي مسلسل ڪم ڪري سگھي ٿو. هيٺ اسان جي نموني جا ڪجهه مثال آهن:
