وصف
Semicera جي SiC coated graphite susceptors کي اعليٰ معيار جي گرافائٽ سبسٽراٽس استعمال ڪندي انجنيئر ڪيو ويو آهي، جن کي سلڪون ڪاربائڊ (SiC) سان جديد ڪيميائي وانپ ڊيپوزيشن (CVD) جي عملن ذريعي احتياط سان گڏ ڪيو ويو آهي. هي جديد ڊيزائن تھرمل جھٽڪو ۽ ڪيميائي تباهي جي غير معمولي مزاحمت کي يقيني بڻائي ٿو، خاص طور تي سي سي ڪوٽيڊ گرافائٽ سسيپٽر جي عمر کي وڌائي ٿو ۽ سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار واري عمل ۾ قابل اعتماد ڪارڪردگي جي ضمانت ڏئي ٿو.
اهم خاصيتون:
1. اعليٰ حرارتي چالڪSiC coated graphite susceptor شاندار حرارتي چالکائي کي ظاهر ڪري ٿو، جيڪو سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار دوران موثر گرمي جي ضايع ڪرڻ لاء اهم آهي. هي خصوصيت ويفر جي مٿاڇري تي حرارتي گريڊينٽس کي گھٽ ڪري ٿي، مطلوبه سيمي ڪنڊڪٽر پراپرٽيز حاصل ڪرڻ لاءِ ضروري يونيفارم درجه حرارت جي ورڇ کي وڌايو.
2. مضبوط ڪيميائي ۽ حرارتي شاک مزاحمتسي سي ڪوٽنگ ڪيميائي سنکنرن ۽ حرارتي جھٽڪن جي خلاف زبردست تحفظ فراهم ڪري ٿي، سخت پروسيسنگ ماحول ۾ به گريفائٽ سسيپٽر جي سالميت کي برقرار رکندي. ھي وڌايل استحڪام گھٽائي گھٽائي ٿو ۽ عمر وڌائي ٿو، سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار جي سهولتن ۾ پيداوار وڌائڻ ۽ قيمت جي ڪارڪردگي ۾ مدد ڪندي.
3. مخصوص ضرورتن لاء حسب ضرورتاسان جي سي سي ڪوٽيڊ گرافائٽ susceptors کي خاص ضرورتن ۽ ترجيحن کي پورا ڪرڻ لاءِ تيار ڪري سگھجي ٿو. اسان پيش ڪريون ٿا ڪسٽمائيزيشن جي اختيارن جو هڪ سلسلو، جنهن ۾ سائيز جي ترتيب ۽ ڪوٽنگ جي ٿلهي ۾ تبديليون شامل آهن، مختلف ايپليڪيشنن ۽ پروسيس جي پيٽرولن لاءِ ڊيزائن جي لچڪ ۽ بهتر ڪارڪردگي کي يقيني بڻائڻ لاءِ.
درخواستون:
ايپليڪيشنون سيميسيرا سي سي ڪوٽنگون استعمال ڪيون وينديون آهن سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار جي مختلف مرحلن ۾، جن ۾ شامل آهن:
1. -LED چپ ٺاھڻ
2. -Polysilicon پيداوار
3. -سيمڪنڊڪٽر کرسٽل جي واڌ
4. -Silicon ۽ SiC Epitaxy
5. تھرمل آڪسائيڊشن ۽ ڊفيوشن (TO&D)
ٽيڪنيڪل وضاحتون:
