SiC Caoted GAN Epi Wafer ڪيريئر

مختصر وضاحت:

Semicera Semiconductor جي SiC Coated GaN Epi Wafer Carrier پيش ڪري ٿو غير معمولي استحڪام ۽ حرارتي استحڪام لاءِ GaN epitaxy پروسيس. سيميسيرا کي اعليٰ ڪارڪردگي واري ڪيريئرز لاءِ ترقي يافته SiC ڪوٽنگ ٽيڪنالاجي سان گڏ، توهان جي ويفر هينڊلنگ کي بهتر ڪرڻ ۽ ڪارڪردگي کي وڌائڻ لاءِ ٺهيل آهي.

اسان کي اي ميل موڪليو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

وصف

Semicera GaN Epitaxy Carrier احتياط سان ٺهيل آهي جديد سيمڪڊڪٽر جي پيداوار جي سخت ضرورتن کي پورو ڪرڻ لاءِ. اعلي معيار جي مواد ۽ صحت واري انجنيئرنگ جي بنياد سان، هي ڪيريئر پنهنجي غير معمولي ڪارڪردگي ۽ قابل اعتماد جي ڪري بيٺو آهي. ڪيميائي وانپ جمع (CVD) Silicon Carbide (SiC) ڪوٽنگ جو انضمام اعلي استحڪام، حرارتي ڪارڪردگي، ۽ تحفظ کي يقيني بڻائي ٿو، ان کي صنعت جي ماهرن لاء ترجيح پسند بڻائي ٿو.

اهم خاصيتون

1. غير معمولي DurabilityGaN Epitaxy Carrier تي CVD SiC ڪوٽنگ ان جي پائڻ ۽ آنسو جي مزاحمت کي وڌائي ٿي، خاص طور تي ان جي آپريشنل زندگي کي وڌايو. هي مضبوطي مسلسل ڪارڪردگي کي يقيني بڻائي ٿي جيتوڻيڪ پيداوار جي ماحول جي طلب ۾، بار بار متبادل ۽ سار سنڀال جي ضرورت کي گھٽائڻ.

2. اعليٰ حرارتي ڪارڪردگيسيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار ۾ حرارتي انتظام اهم آهي. GaN Epitaxy ڪيريئر جي ترقي يافته حرارتي ملڪيت موثر گرمي جي ضايع ڪرڻ کي آسان بڻائي ٿي، ايپيٽيڪسيل ترقي جي عمل دوران بهترين درجه حرارت جي حالتن کي برقرار رکندي. اها ڪارڪردگي نه رڳو سيمي ڪنڊڪٽر ويفرز جي معيار کي بهتر بڻائي ٿي پر مجموعي پيداوار جي ڪارڪردگي کي پڻ وڌائي ٿي.

3. حفاظتي صلاحيتونسي سي ڪوٽنگ ڪيميائي سنکنرن ۽ حرارتي جھٽڪن جي خلاف مضبوط تحفظ فراهم ڪري ٿي. اهو يقيني بڻائي ٿو ته ڪيريئر جي سالميت سڄي پيداوار جي عمل ۾ برقرار رکي ٿي، نازڪ سيمي ڪنڊڪٽر مواد جي حفاظت ۽ پيداوار جي عمل جي مجموعي پيداوار ۽ اعتماد کي وڌائڻ.