-
سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ جي عمل جي معيار جي ڪنٽرول جا اهم نقطا
سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ جي عمل ۾ ڪيفيت ڪنٽرول لاءِ اهم نقطا في الحال، سيمڪڊڪٽر پيڪنگنگ جي پروسيسنگ ٽيڪنالاجي کي خاص طور تي بهتر ۽ بهتر بڻايو ويو آهي. جڏهن ته، مجموعي نقطه نظر کان، سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ جا طريقا ۽ طريقا اڃا تائين مڪمل طور تي نه پهچي ويا آهن ...وڌيڪ پڙهو -
سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ جي عمل ۾ چيلنجز
سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ لاءِ موجوده ٽيڪنالاجيون آهستي آهستي بهتر ٿي رهيون آهن، پر ان حد تائين جنهن حد تائين خودڪار سامان ۽ ٽيڪنالاجيون سيمڪڊڪٽر پيڪنگنگ ۾ اختيار ڪيون ويون آهن سڌو سنئون متوقع نتيجن جي حاصلات کي طئي ڪري ٿي. موجوده سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ عمل اڃا تائين متاثر ٿين ٿا ...وڌيڪ پڙهو -
سيمي ڪنڊڪٽر پيڪنگنگ پروسيس جي تحقيق ۽ تجزيو
سيميڪنڊڪٽر پروسيس جو جائزو سيمي ڪنڊڪٽر پروسيس ۾ بنيادي طور تي مائڪرو فيبريڪيشن ۽ فلم ٽيڪنالاجي لاڳو ڪرڻ شامل آهي مڪمل طور تي چپس ۽ ٻين عناصر کي مختلف علائقن ۾ مڪمل طور تي ڳنڍڻ لاءِ، جهڙوڪ سبسٽراٽس ۽ فريم. هي ليڊ ٽرمينلز کي ڪڍڻ ۽ انڪپسوليشن کي آسان بڻائي ٿو ...وڌيڪ پڙهو -
سيمي ڪنڊڪٽر انڊسٽري ۾ نوان رجحان: حفاظتي ڪوٽنگ ٽيڪنالاجي جي ايپليڪيشن
سيمي ڪنڊڪٽر انڊسٽري غير معمولي ترقي جي شاهدي ڏئي رهي آهي، خاص طور تي سلکان ڪاربائڊ (SiC) پاور اليڪٽرانڪس جي دائري ۾. برقي گاڏين ۾ سي سي ڊيوائسز جي وڌندڙ گهرج کي پورو ڪرڻ لاءِ ڪيترن ئي وڏي پيماني تي ويفر فيبس تعمير يا توسيع هيٺ آهن ، هي ...وڌيڪ پڙهو -
سي سي ذيلي ذخيرو جي پروسيسنگ ۾ بنيادي قدم ڇا آهن؟
سي سي سبسٽراٽس لاءِ اسان ڪيئن پيدا ڪريون ٿا- پروسيسنگ جا مرحلا هن ريت آهن: 1. ڪرسٽل اورينٽيشن: ڪرسٽل انگوٽ کي رخ ڏيڻ لاءِ ايڪس ري ڊفرڪشن کي استعمال ڪندي. جڏهن هڪ ايڪس-ري شعاع کي گهربل ڪرسٽل چهري تي هدايت ڪئي وڃي ٿي، تڙيل شعاع جو زاويو ڪرسٽل جي رخ جو تعين ڪري ٿو...وڌيڪ پڙهو -
هڪ اهم مواد جيڪو طئي ڪري ٿو سنگل کرسٽل سلکان جي ترقي جي معيار - حرارتي ميدان
اڪيلو ڪرسٽل سلکان جي ترقي جو عمل مڪمل طور تي حرارتي ميدان ۾ ڪيو ويندو آهي. هڪ سٺو حرارتي ميدان ڪرسٽل جي معيار کي بهتر ڪرڻ لاءِ سازگار آهي ۽ اعليٰ ڪرسٽلائيزيشن ڪارڪردگي آهي. حرارتي فيلڊ جي ڊيزائن گهڻو ڪري تبديلين ۽ تبديلين کي طئي ڪري ٿو ...وڌيڪ پڙهو -
epitaxial واڌ ڇا آهي؟
Epitaxial واڌ هڪ ٽيڪنالاجي آهي جيڪا هڪ واحد ڪرسٽل پرت کي هڪ واحد ڪرسٽل سبسٽريٽ (سبسٽريٽ) تي ساڳئي ڪرسٽل جي رخ سان گڏ ڪري ٿي، جيئن ته اصل ڪرسٽل ٻاهران وڌايو ويو آهي. هي نئون وڌيل سنگل ڪرسٽل پرت سي جي لحاظ کان سبسٽريٽ کان مختلف ٿي سگهي ٿو ...وڌيڪ پڙهو -
substrate ۽ epitaxy جي وچ ۾ ڇا فرق آهي؟
ويفر جي تياري جي عمل ۾، ٻه بنيادي ڳنڍيون آهن: هڪ آهي سبسٽريٽ جي تياري، ۽ ٻيو آهي epitaxial عمل کي لاڳو ڪرڻ. سبسٽرٽ، هڪ ويفر احتياط سان سيمي ڪنڊڪٽر سنگل کرسٽل مواد مان تيار ڪيو ويو آهي، سڌو سنئون ويفر جي پيداوار ۾ وجهي سگهجي ٿو ...وڌيڪ پڙهو -
Graphite Heaters جي ورسٽائل خاصيتن کي ظاهر ڪرڻ
Graphite heaters انهن جي غير معمولي خاصيتن ۽ استحڪام جي ڪري مختلف صنعتن ۾ لازمي اوزار طور سامهون آيا آهن. ليبارٽريز کان وٺي صنعتي سيٽنگن تائين، هي هيٽر مواد جي ترڪيب کان وٺي تجزياتي ٽيڪنالاجي تائين عملن ۾ اهم ڪردار ادا ڪن ٿا. جي وچ ۾ مختلف ...وڌيڪ پڙهو -
سڪل ايچنگ ۽ ويٽ ايچنگ جي فائدن ۽ نقصانن جي تفصيلي وضاحت
سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار ۾، اتي هڪ ٽيڪنڪ آهي جنهن کي "ايچنگ" سڏيو ويندو آهي، هڪ سبسٽريٽ جي پروسيسنگ دوران يا هڪ ٿلهي فلم سبسٽريٽ تي ٺهيل آهي. ايڇنگ ٽيڪنالاجي جي ترقي انٽيل جي باني گورڊن مور جي 1965 ۾ ڪيل اڳڪٿي کي سچ ڪرڻ ۾ ڪردار ادا ڪيو آهي ته ”...وڌيڪ پڙهو -
سلکان ڪاربائڊ هيٽر جي اعلي حرارتي ڪارڪردگي ۽ اسٽيلر استحڪام کي ظاهر ڪندي
Silicon carbide (SiC) هيٽر سيمي ڪنڊڪٽر انڊسٽري ۾ حرارتي انتظام جي اڳيان آهن. هي آرٽيڪل سي سي هيٽرز جي غير معمولي حرارتي ڪارڪردگي ۽ قابل ذڪر استحڪام کي ڳولي ٿو، سيميڪن ۾ بهتر ڪارڪردگي ۽ اعتماد کي يقيني بڻائڻ ۾ انهن جي اهم ڪردار تي روشني وجهي ٿو ...وڌيڪ پڙهو -
سلکان ڪاربائڊ ويفر بوٽن جي اعلي طاقت ۽ اعلي سختي جي خاصيتن جي ڳولا
Silicon carbide (SiC) ويفر ٻيڙيون سيمي ڪنڊڪٽر انڊسٽري ۾ اهم ڪردار ادا ڪن ٿيون، اعلي معيار جي اليڪٽرانڪ ڊوائيسز جي پيداوار کي آسان بڻائي ٿي. هي آرٽيڪل سي سي ويفر ٻيڙين جي قابل ذڪر خاصيتن تي ڌيان ڏئي ٿو، انهن جي غير معمولي طاقت ۽ سختي تي ڌيان ڏئي ٿو، ۽ انهن جي نشانين کي نمايان ڪري ٿو ...وڌيڪ پڙهو