سيميسيرا مختلف اجزاء ۽ ڪيريئرز لاءِ خاص ٽينٽالم ڪاربائيڊ (TaC) ڪوٽنگ فراهم ڪري ٿي.سيميسيرا جي اڳواڻي ڪوٽنگ وارو عمل ٽينٽيلم ڪاربائيڊ (TaC) ڪوٽنگن کي قابل بڻائي ٿو اعليٰ پاڪيزگي، اعليٰ درجه حرارت جي استحڪام ۽ اعليٰ ڪيميائي رواداري حاصل ڪرڻ لاءِ، SIC/GAN ڪرسٽل ۽ EPI پرت جي پيداوار جي معيار کي بهتر بڻائي ٿو.Graphite coated TaC susceptor)، ۽ اهم ريڪٽر اجزاء جي زندگي کي وڌائڻ. tantalum carbide TaC ڪوٽنگ جو استعمال ڪنارن جي مسئلي کي حل ڪرڻ ۽ ڪرسٽل جي ترقي جي معيار کي بهتر بڻائڻ آهي، ۽ سيميسيرا ڪاميابي سان حل ڪيو آهي tantalum carbide ڪوٽنگ ٽيڪنالاجي (CVD)، بين الاقوامي ترقي يافته سطح تائين پهچندي.
سالن جي ترقي کان پوء، Semicera جي ٽيڪنالاجي کي فتح ڪيو آهيسي وي ڊي ٽي سيآر اينڊ ڊي ڊپارٽمينٽ جي گڏيل ڪوششن سان. SiC wafers جي واڌ جي عمل ۾ خرابيون آسان آهن، پر استعمال ڪرڻ کان پوءٽي سي، فرق اهم آهي. هيٺ TaC سان گڏ ۽ بغير ويفرز جو مقابلو آهي، انهي سان گڏ سيميسيرا جا حصا سنگل ڪرسٽل جي واڌ لاءِ
TaC سان ۽ بغير
TaC استعمال ڪرڻ کان پوء (ساڄي)
ان کان علاوه، Semicera جي TaC ڪوٽنگ جي شين جي خدمت زندگي ڊگهي آهي ۽ سي سي ڪوٽنگ جي ڀيٽ ۾ وڌيڪ گرمي پد جي مزاحمتي آهي. ليبارٽري جي ماپ جي ڊيٽا جي ڊگهي وقت کان پوء، اسان جي TaC وڌ ۾ وڌ 2300 درجا سينس تي ڊگهي وقت تائين ڪم ڪري سگهي ٿي. اسان جا ڪجهه نمونا هيٺ ڏجن ٿا:
(a) PVT طريقي سان SiC سنگل ڪرسٽل انگٽ اڀرندڙ ڊوائيس جو اسڪيميٽڪ ڊراگرام (b) ٽاپ TaC ڪوٽيڊ سيڊ بريڪٽ (بشمول SiC سيڊ) (c) TAC-coated graphite گائيڊ رنگ
